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MEMORIA SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 1TB M.2 MZ-V9S1T0BW

Código: 3995
MEMORIA SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 1TB M.2 MZ-V9S1T0BW
SSD interno 990 EVO Plus 1TB
3 principais recursos
Desempenho
Velocidade de leitura sequencial de até 7.250 MB/s, 45% mais rápido que o modelo anterior.
Eficiência energética
Eficiência energética melhorada em 73% para mais MB/s por watt, mantendo o desempenho e o controle térmico.
Velocidade espetacular todos os dias
Faça as coisas mais rápido. O 990 EVO Plus com a mais recente tecnologia NAND oferece velocidades aprimoradas de leitura/gravação sequencial de até 7.250/6.300 MB/s. Arquivos enormes, transferências instantâneas.
Software Samsung Magician
Faça seu SSD funcionar como mágica. As ferramentas de otimização do software Samsung Magician garantem o desempenho ideal do SSD. É uma maneira fácil e segura de migrar todos os seus dados para atualizar seu SSD Samsung. Proteja dados valiosos, monitore a integridade da unidade e obtenha as atualizações de firmware mais recentes.
Tornando as inovações uma realidade
Por décadas, a memória flash NAND da Samsung impulsionou tecnologias revolucionárias que mudaram todos os aspectos do nosso dia a dia. Essa tecnologia flash NAND também impulsiona nossos SSDs de consumo, abrindo espaço para o próximo grande impulso em inovação.
Especificações
Fator de forma: M.2
Capacidade: 1
Velocidade de leitura sequencial: Até 7.250 MB/s
Velocidade de gravação sequencial: Até 6.300 MB/s
Código do modelo (capacidade) MZ-V9S1T0BW(1 TB)
Característica geral
Aplicativo: PCs clientes
FATOR DE FORMA
M.2 (2280)
INTERFACE
PCIe® Geração 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
DIMENSÃO (LxAxP)
80,15 x 22,15 x 2,38 mm
PESO
Peso máximo de 9,0g
MEMÓRIA DE ARMAZENAMENTO
Samsung V-NAND TLC
CONTROLADOR
Controlador interno da Samsung
MEMÓRIA CACHE
HMB (Buffer de Memória do Host)
Recurso especial
Suporte TRIM
Suportado
Suporte SMART
Suportado
GC (COLETA DE LIXO)
Algoritmo de coleta de lixo automática
SUPORTE DE CRIPTOGRAFIA
Criptografia AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal
IEEE1667 (unidade criptografada)
SUPORTE WWN
Não suportado
SUPORTE AO MODO DE HORA DO DISPOSITIVO
Sim
Desempenho
LEITURA SEQUENCIAL: 1 TB: Até 7.150 MB/s
ESCRITA SEQUENCIAL: 1 TB: Até 6.300 MB/s
LEITURA ALEATÓRIA (4 KB, QD32): 1 TB: até 850.000 IOPS
Ambiente
CONSUMO MÉDIO DE ENERGIA
(Nível do Sistema) 3): 1 TB: Média: Leitura 4,3 W / Gravação 4,2 W
CONSUMO DE ENERGIA (INATIVO) 3): 1 TB: típico 60 mW
CONSUMO DE ENERGIA (SUSPENSÃO DO DISPOSITIVO): 1 TB: típico 5 mW
TENSÃO ADMISSÍVEL
3,3 V ± 5% Tensão permitida
CONFIABILIDADE (MTBF)
Confiabilidade de 1,5 milhão de horas (MTBF)
TEMPERATURA DE OPERAÇÃO
Temperatura de operação de 0 a 70 °C
Software
GESTÃO SW
Software Magician para gerenciamento de SSD
SSD interno 990 EVO Plus 1TB
3 principais recursos
Desempenho
Velocidade de leitura sequencial de até 7.250 MB/s, 45% mais rápido que o modelo anterior.
Eficiência energética
Eficiência energética melhorada em 73% para mais MB/s por watt, mantendo o desempenho e o controle térmico.
Velocidade espetacular todos os dias
Faça as coisas mais rápido. O 990 EVO Plus com a mais recente tecnologia NAND oferece velocidades aprimoradas de leitura/gravação sequencial de até 7.250/6.300 MB/s. Arquivos enormes, transferências instantâneas.
Software Samsung Magician
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Tornando as inovações uma realidade
Por décadas, a memória flash NAND da Samsung impulsionou tecnologias revolucionárias que mudaram todos os aspectos do nosso dia a dia. Essa tecnologia flash NAND também impulsiona nossos SSDs de consumo, abrindo espaço para o próximo grande impulso em inovação.
Especificações
Fator de forma: M.2
Capacidade: 1
Velocidade de leitura sequencial: Até 7.250 MB/s
Velocidade de gravação sequencial: Até 6.300 MB/s
Código do modelo (capacidade) MZ-V9S1T0BW(1 TB)
Característica geral
Aplicativo: PCs clientes
FATOR DE FORMA
M.2 (2280)
INTERFACE
PCIe® Geração 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
DIMENSÃO (LxAxP)
80,15 x 22,15 x 2,38 mm
PESO
Peso máximo de 9,0g
MEMÓRIA DE ARMAZENAMENTO
Samsung V-NAND TLC
CONTROLADOR
Controlador interno da Samsung
MEMÓRIA CACHE
HMB (Buffer de Memória do Host)
Recurso especial
Suporte TRIM
Suportado
Suporte SMART
Suportado
GC (COLETA DE LIXO)
Algoritmo de coleta de lixo automática
SUPORTE DE CRIPTOGRAFIA
Criptografia AES de 256 bits (Classe 0) TCG/Opal
IEEE1667 (unidade criptografada)
SUPORTE WWN
Não suportado
SUPORTE AO MODO DE HORA DO DISPOSITIVO
Sim
Desempenho
LEITURA SEQUENCIAL: 1 TB: Até 7.150 MB/s
ESCRITA SEQUENCIAL: 1 TB: Até 6.300 MB/s
LEITURA ALEATÓRIA (4 KB, QD32): 1 TB: até 850.000 IOPS
Ambiente
CONSUMO MÉDIO DE ENERGIA
(Nível do Sistema) 3): 1 TB: Média: Leitura 4,3 W / Gravação 4,2 W
CONSUMO DE ENERGIA (INATIVO) 3): 1 TB: típico 60 mW
CONSUMO DE ENERGIA (SUSPENSÃO DO DISPOSITIVO): 1 TB: típico 5 mW
TENSÃO ADMISSÍVEL
3,3 V ± 5% Tensão permitida
CONFIABILIDADE (MTBF)
Confiabilidade de 1,5 milhão de horas (MTBF)
TEMPERATURA DE OPERAÇÃO
Temperatura de operação de 0 a 70 °C
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